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在0K时,电子和空穴的本征浓度是什么

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本征载流子浓度等于本征空穴浓度与本征自由电子浓度之和吗
网友说:所谓本征载流子就是物质本身所固有的,而不是添加剂或者杂质引起的电流载体。当体系主要由电子引起电导时,本征载流子就是空穴和电子,即空穴和电子都可以充当电流的载体。当然电子和空穴有时起相当的作用,有时则不一定。例如在n型半导体中电子就占据主导作用,体系中电子浓度和迁移率会更高;有些体系则更多地依赖于空穴,此时空穴的浓度和迁移率会更高些,如p型半导体。本征载流子的总浓度则是本征空穴浓度与本征电子浓度之和。如果体系电导由离子引起,则本征载流子就是正离子和负离子。同样,在不同的场合下,正负离子所起的作用是不同的。本征载流子的浓度等于本征正负离子浓度之和。

本征半导体中,电子浓度大还是空穴浓度大?
网友说:一样大 N型中电子浓度大 P型中空穴浓度大

本征半导体中的自由电子浓度___ ___空穴浓度
网友说:本征半导体中自由电子浓度 等于 空穴浓度 因为本征半导体中自由电子和空穴是成对出现的,所以一样多,浓度相同.

在本征半导体中,电子浓度比空穴浓度大还是小,还是相等?
网友说:在本征半导体(没有参杂的纯净半导体)中,电子和空穴总是成对出现,成对消失的,因此电子和空穴的浓度是相等的。

为什么P型半导体空穴浓度远大于自由电子浓度?不是掺入少量的杂质吗?怎么就会远大于?求真相!!!
网友说:因为不掺杂的半导体一般只有很少的本征载流子(电子和空穴的浓度相等),掺入少量受主杂质之后,就可以提供一定数量的空穴,而这些空穴往往要比原来的本征载流子浓度大得多,所以说“远大于...”参见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明。

当温度升高时,本征半导体中载流子的浓度:A. 自由电子浓度增大,空穴浓度减小
网友说:温度升高时,电子共有化运动加剧,能级分裂加剧,因些允带变宽,禁带变窄。电子更容易从价带跃到导带,所以温度升高,电子空穴对增多,即电子空穴浓度增加,即本征载流子浓度增加。

室温下,本征半导体硅中自由电子和空穴的浓密度关系是
网友说:对于本征半导体而言,电子和空穴是成对产生的,所以电子浓度和空穴浓度是相等的。

PN结外加正向电压时电子和空穴会相遇吗?如果会,怎么不复合,如果复合,载流子消失,怎么还能导通?
网友说:电子和电流方向相反,过程可以这样描述 :电子先进入n区,汇合n区自带的电子,在与内电场方向相反的外电场的作用下,打破扩散运动和内电场所构成的原有的动态平衡,一起做扩散运动,穿过pn节这个空乏区,扩散进p区,在p区确实发生了一些复合,但是p区的空穴数量有限,而电源提供的电流是源源不断的,只要电压大于死区电压 就可以不停地发生扩散,就能导通 以上是本人的理解,你还可以参考下面的资料 1 PN结的形成: 在P型半导体和N型半导体结合后,由于N型区内电子很多而空穴很少,而P型区内空穴很多电子很少,在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差别。这样,电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。于是,有一些电子要从N型区向P型区扩散,也有...

电子浓度和空穴浓度乘积为什么是常数
网友说:因为空穴并不是真实存在的,只是对大量电子运动的一种等效,空穴的流动其实就是大量电子运动的等效的反运动,这从空穴的定义和特性就可以知道; 空穴的定义: 当满带顶附近产生p0个空态时,其余大量电子在外电场作用下所产生的电流,可等效为p0个具有正电荷q和正有效质量mp,速度为v(k)的准经典粒子所产生的电流.这样的准经典离子称为空穴. 一定的电荷转移我们可以用以下公式对本征半导体中的自由电子的浓度进行计算: ni(T)=AT3/2e-EG/2kT式中, EG--电子挣脱共价键束缚所需要的能量,单位是eV(电子伏),又被称为禁带宽度; T--温度; A--系数; k--波耳兹曼常数(1.38×10-23J/K); e--自然对数的底。 由于在本征半导体中自由电子和空...

如何推导本征半导体中价带中空穴浓度的公式:p = Nv*exp[-(E(F) – Ev)/kT]
网友说:这个公式其实就是直接套用费米迪拉克分布,不过因为分母上的1远远小于exp[(E(F) – Ev)/kT],于是省略掉了。费米迪拉克分布已经是基础的分布规律,推倒这个分布要用到微观状态数和包利不相容原理,再加上拉格朗日乘数法推倒。比较繁琐,你可以读Reif写的Fundamentals of Statistical and Thermal Physics,其中有详尽的推导过程。